Snapdragon 820. El conocido fabricante de SoC Qualcomm finalmente va a desvelara el esperado Snapdragon 820. El chip ha sido victima de muchas especulaciones sobre el rendimiento térmico del Snapdragon 820, debido al pobre desempeño mostrado por sus predecesores, especialmente Snapdragon 810.
Ayer, jefe de marketing de Qualcomm anunció en Twitter que el nuevo chip con todo lujo de detalles, su próximo SoC fabricado a una litografía de 14nm FinFET para dispositivos móviles tope de gama que no veremos hasta principios de 2016.
Estamos ante un procesador de cuatro núcleos Kryo de 64 bits capaces de alcanzar una frecuencia de 2.20 GHz que, según indica la compañía, consume un 30 por ciento menos respecto al Snapdragon 810 siendo el doble de rápido, por lo que ofrecerá una autonomía mejorada gracias a la inclusión del nuevo DSP Hexagon 680.
Snapdragon 820 Adreno 530
En el apartado gráficos tenemos a los ya anunciados Adreno 530, que prometen ser un 40 por ciento más rápidos con un 40 por ciento en la reducción de consumo respecto a los Adreno 430 que podemos encontrar en el SoC Snapdragon 810. Soportará la API OpenCL 2.0, OpenGL ES 3.1, Vulkan y el Android Extensión Pack, lo que añadirá ventajas bajo procesos GPGPU y el procesado de vídeos.
El resto de la información se completa con el uso del módem X12 LTE que ofrece la conectividad 4G LTE de Categoría 12 para la bajada (600 Mbps) y Categoría 13 para la subida (150 Mbps), soporta las bandas FDD, TDD, DB-DC-HSDPA, DC-HSUPA, TD-SCDMA, EV-DO, CDMA 1x y GSM/EDGE, da soporte a llamadas WiFi, VolTE, WiFi 802.11ac de doble banda, es capaz de manejar pantallas 4K, sensores de hasta 28 megapíxeles (o dos de 14 MP), puede unirse a memoria Flash UFS 2.0 o eMMC 5.1 para el almacenamiento, memoria RAM LPDDR4 @ 1866 MHz, NFC, un puerto USB 3.0 y es compatible con la tecnología de carga rápida Qualcomm Quick Charge 3.0, que carga la batería 4 veces más rápido que un modelo normal o hasta un 38% más rápido respecto a Quick Charge 2.0.
